Micron и Intel усовершенствовали флеш-память

Твердотельные накопители в скором будущем станут еще более вместительными благодаря компаниям Micron и Intel. Совместными усилиями они разработали новый тип компоновки NAND-памяти — объемную. В таких модулях используются уникальные ячейки с плавающим затвором, что позволяет хранить в каждой из них два или три бита информации в зависимости от требований, предъявляемых к носителю в определенный момент.

Представители Micron и Intel отметили, что при использовании новых модулей флеш-памяти емкость основанных на них SSD-драйвов увеличится втрое. К примеру, пишет ресурс Tech Radar, в стандартном 2,5-дюймовом корпусе твердотельного накопителя могут уместиться модули объемом свыше 10 терабайтов, тогда как сейчас наиболее емкие модели вмещают не более 3 терабайтов информации. Новые модули также применимы и в SSD других форматов. Их можно использовать в носителях с интерфейсом М.2 — это очень компактные изделия, и их емкость повысится почти до 4 терабайтов.

Новую NAND-память Micron и Intel представили в ходе пресс-конференции, показав, из чего она состоит. Внутри каждого модуля присутствует 32 слоя, и каждый такой модуль имеет плотность 256 Гбит при использовании многоуровневых ячеек памяти (MLC) и 384 Гбит при использовании объемной структуры ячеек (TLC).

В настоящее время Micron и Intel уже наладили производство 256-гигабитных модулей, и первые их экземпляры отправлены на тестирование партнерам компании, занимающимся выпуском твердотельных накопителей. Производство 384-гигабитных чипов будет запущено до конца мая текущего года, но оно тоже планируется мелкосерийным. В последней четверти текущего года, после выявления и устранения всех недочетов, масштабы производства новых модулей памяти от Micron и Intel станут промышленными.