Samsung начал производство 256-гигабайтовых накопителей для смартфонов

Корейский производитель электроники Samsung сообщил о старте выпуска новых встраиваемых накопителей, предназначенных для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Крошечные чипы вмещают в себя 256 Гб информации и, помимо этого, являются чуть ли не самыми высокоскоростными в своем классе.

Новее накопители от Samsung характеризуются соответствием спецификации UFS 2.0 или Universal Flash Storage, сообщает портал Liliputing. Разумеется, при таких характеристиках они ориентированы исключительно на флагманские мобильные гаджеты, которые будут анонсированы лишь во второй половине текущего года а то и вовсе в начале 2017 года.

Новая память от Samsung производится по современной технологии 3D V-NAND и несет в себе продвинутый контроллер, название которого не упоминается. Производителем заявлена производительность на уровне 45000 операций в секунду при чтении и 40000 операций в секунду при записи с произвольным доступом, что ставит данные чипы на один уровень с твердотельными накопителями начального и среднего классов.

Скорость передачи данных в новой памяти впечатляет не меньше, чем ее объем: до 850 Мб/с во время чтения и до 260 Мб/с при записи. По сравнению с наиболее высокоскоростными картами памяти microSD, доступными сегодня, новинка от Samsung примерно в три раза быстрее.

Еще один немаловажный фактор нового творения Samsung — это компактность. По своим габаритам новые модули памяти вполне сравнимы с накопителями microSD, так что много места на системной плате мобильного устройства они не займут. Новый чип очень пригодится в гаджетах, чьи фотокамеры способны записывать видео в разрешении Ultra HD – эту способность, по мнению экспертов, обязательно приобретут все флагманские смартфоны образца 2017 года. Кроме того, мобильные гаджеты, наделенные столь внушительным объемом встроенной высокоскоростной памяти, наконец-то смогут составить конкуренцию внешним SSD, получившим в последнее время широкое распространение.

Добавим также, что Samsung потратил всего 12 месяцев на разработку данного модуля памяти: его предшественник, намного менее быстрый и вмещающий не более 128 Гб данных, увидел свет в прошлом феврале.