Samsung начал производство 10-нанометровых чипов DRAM

Южно-корейская компания Samsung официально сообщила о запуске новой конвейерной линии по производству модулей памяти DRAM стандарта DDR4 по суперсовременной 10-нанометровой технологии. Это настоящий прорыв в области, и в настоящее время только Samsung освоила данную технологию.

В своем пресс-релизе Samsung пояснил, что перешел к 10-нанометровому классу, который подразумевает использование производственных норм от 10 до 19 нанометров, пишет портал ZDNET, однако именно 10-нанометровый техпроцесс уже был им освоен. Наиболее распространенный сейчас класс модулей DDR4 — это 20-нанометровый, то есть от 20 до 29 нм.

Перейдя на новые технологии производства, Samsung снизил потребление чипами электроэнергии в среднем на 15%, а заодно уменьшил их себестоимость за счет 30-процентного роста количества кристаллов на одной пластине. Точная стоимость готовых решений пока не называется, но она окажется существенно более низкой в сравнении с 20-нанометровыми конкурентами.

Новая технология производства уже применяется Samsung при выпуске чипов памяти DRAM емкость 8 Гбит. Они будут располагаться на планках ОЗУ формата DIMM и SO-DIMM и подойдут для серверов, настольных компьютеров и ноутбуков. В будущем их можно будет встретить и в ряде моделей ПК, в которых предусмотрена распайка оперативной памяти непосредственно на системной плате. Данные модули характеризуются высокой скоростью передачи данных — в пределах 3200 Мбит/с.

Свою новую разработку Samsung планирует внедрить не только в потребительские устройства, но и в технику корпоративного класса. Уже в этом году корейский вендор собирается начать производство планок DRAM емкостью от 4 и вплоть до 128 Гб, которые будут продаваться как по отдельности, так и комплектами по две или четыре планки.